图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FDMS8333L |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 22A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.1 mOhm @ 22A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 64nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4545pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDMS8333L&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22A (Ta), 76A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.1 mOhm @ 22A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4545pF @ 20V |
| 其他名称 | FDMS8333LTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 64nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 76 A |
| 系列 | FDMS8333 |
| 封装/外壳 | Power 56 |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 3.1 mOhms |
| 功率耗散 | 69 W |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 120 S |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 上升时间 | 4.7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 46 nC |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
| Qg - Gate Charge | 46 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 商品名 | PowerTrench |
| Id - Continuous Drain Current | 76 A |
| 长度 | 6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.1 mOhms |
| 身高 | 1.1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| Pd - Power Dissipation | 69 W |
| 技术 | Si |
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